光催化技术的机理主要包括以下几个方面,结合不同材料与反应条件呈现多样性:
1. 半导体光激发与电荷分离机理
- 光生电子-空穴对的形成:当半导体材料(如TiO₂、ZnO等)吸收能量≥其禁带宽度的光子时,价带电子跃迁至导带,形成光生电子(e⁻)和空穴(h⁺)。
- 电荷迁移与复合:电子与空穴可能复合(以热能形式释放),或在材料表面缺陷或助催化剂的辅助下分离,迁移至表面参与反应。
2. 活性自由基的生成与氧化还原反应
- 羟基自由基(·OH)与超氧自由基(·O₂⁻):空穴与水或羟基反应生成·OH,电子与氧气结合生成·O₂⁻,两者具有强氧化性,可降解有机污染物。
- 其他活性物种:如H₂O₂、O₂等,进一步参与链式反应,分解污染物至CO₂和H₂O。
3. 光敏化与能带调控机理
- 染料/半导体复合体系:通过染料或量子点吸收可见光,将激发态电子注入半导体导带,扩展光响应范围。
- 掺杂改性:金属或非金属掺杂(如N、C)可缩小禁带宽度,提升可见光利用率。
4. 非均相协同催化机理
- 光-Fenton反应:光催化与芬顿反应结合,Fe³⁺/Fe²⁼循环加速H₂O₂分解生成·OH,拓宽pH适用范围。
- 复合催化剂设计:如g-C₃N₄/高岭石复合材料通过异质结促进电荷分离,增强降解效率。
5. 表面吸附与界面反应机制
- 污染物吸附:材料表面通过物理/化学吸附富集污染物,缩短活性物种与污染物的接触距离。
- 晶体结构影响:锐钛矿型TiO₂因八面体结构更易暴露活性位点,催化活性优于金红石型。
总结
光催化机理的核心在于光能驱动半导体产生电子-空穴对,通过调控材料结构、引入协同体系或表面修饰,提升电荷分离效率与活性物种产率,从而实现高效污染物降解、能源转化(如光解水制氢)等应用。
光催化技术的核心机理主要基于半导体材料在光照条件下引发的光电化学过程,其关键步骤及作用机制如下:
一、光子吸收与电子激发
半导体光催化剂(如TiO₂、CdS等)吸收光子能量后,价带(Valence Band)中的电子被激发跃迁至导带(Conduction Band),形成光生电子(e⁻)-空穴(h⁺)对。这一过程需要光子能量大于半导体的禁带宽度(Eg)。例如:
- TiO₂的禁带宽度约为3.2 eV,需紫外光激发;
- CdS的禁带宽度较小(约2.4 eV),可利用可见光。
二、载流子分离与迁移
光生电子和空穴需有效分离并迁移至催化剂表面参与反应:
- 分离机制:通过纳米结构设计(如异质结、助催化剂负载)或表面缺陷工程,抑制电子-空穴复合。
- 迁移路径:电子向催化剂表面传递用于还原反应(如产H₂),空穴用于氧化反应(如降解污染物)。
三、活性物质的生成
迁移至表面的载流子与吸附物质反应,产生活性自由基:
- 空穴氧化:与水分子反应生成羟基自由基(·OH),具有强氧化性;
- 电子还原:与氧气生成超氧自由基(O₂⁻·)或过氧化氢(H₂O₂)。
四、氧化还原反应
活性物质与污染物或反应物发生反应:
- 污染物降解:自由基将有机物(如染料、VOCs)分解为CO₂和H₂O。
- 能源转化:例如光解水制氢(H⁺还原为H₂)或CO₂还原为燃料。
五、副反应与影响因素
- 不完全反应:因电子-空穴复合或能量不足,可能生成中间副产物(如低分子有机物)。
- 催化剂中毒:污染物覆盖活性位点,降低效率。
- 环境条件:光照强度、温度、pH值等影响反应速率。
总结
光催化机理的核心是光生载流子的高效分离与利用,其应用范围涵盖环境净化(污染物降解)、能源生产(制氢)及有机合成等多个领域。实际应用中需通过材料改性(如掺杂、复合结构)提升光吸收和载流子分离效率。